Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

HXY MOSFET LMV358IDR-HXY


Produttore
Codice Parte Mfr.
LMV358IDR-HXY
Codice Parte EBEE
E819626962
Confezione
SOP-8
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
Dual 5pA 1V/us 1.2MHz Rail-to-rail input, rail-to-rail output 700uV SOP-8 Operational Amplifier ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>

In Magazzino : Si Prega di Richiedere

Invia RFQ, risponderemo immediatamente.

Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
5+$0.0494$ 0.2470
50+$0.0483$ 2.4150
150+$0.0475$ 7.1250
500+$0.0468$ 23.4000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaAmplifiers/Comparators ,Operational Amplifier
Scheda TecnicaHXY MOSFET LMV358IDR-HXY
RoHS
Operating Temperature-40℃~+125℃
Rail to RailRail-to-Rail Input, Rail-to-Rail Output
Quiescent Current85uA
Noise density(eN)30nV/√Hz@1kHz
Output Current40mA
Maximum Power Supply Range (Vdd-Vss)6V
Input Offset Current(Ios)50pA
Number of Channels2
Voltage - Supply-3V~-1V;1V~3V
Vos - Input Offset Voltage3mV
Ib - Input Bias Current5pA
Common Mode Rejection Ratio(CMRR)83dB
Gain Bandwidth Product1.2MHz
Slew Rate1V/us
Input offset current drift(Ios TC)-
Input Offset Voltage Drift(Vos TC)1uV/℃
Single Supply2.1V~6V

Guida all’acquisto

Espandi