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HXY MOSFET HUMH9NTN
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HUMH9NTN |
| Codice Parte EBEE | E822461935 |
| Confezione | SOT-363 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 2 NPN-Pre-Biased 150mW 100mA SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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| 100+ | $0.0386 | $ 3.8600 |
| 300+ | $0.0335 | $ 10.0500 |
| 3000+ | $0.0297 | $ 89.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HUMH9NTN | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 13kΩ | |
| Resistor Ratio | 5.7 | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 68 | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz | |
| Output Voltage(VO(on)) | 300mV |
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