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HXY MOSFET HC3D10065E
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC3D10065E |
| Codice Parte EBEE | E822449557 |
| Confezione | TO-252-2L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.3V@10A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC3D10065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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