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HXY MOSFET HC3D04065E


Produttore
Codice Parte Mfr.
HC3D04065E
Codice Parte EBEE
E822449553
Confezione
TO-252-2L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
650V Independent Type 1.3V@4A TO-252-2L SiC Diodes ROHS
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TipoDescrizione
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CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
Scheda TecnicaHXY MOSFET HC3D04065E
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Diode ConfigurationIndependent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@4A
Current - Rectified14A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current36A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

Guida all’acquisto

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