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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC3D04065E |
| Codice Parte EBEE | E822449553 |
| Confezione | TO-252-2L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.3V@4A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8948 | $ 0.8948 |
| 10+ | $0.7486 | $ 7.4860 |
| 30+ | $0.6668 | $ 20.0040 |
| 100+ | $0.5759 | $ 57.5900 |
| 500+ | $0.5351 | $ 267.5500 |
| 1000+ | $0.5166 | $ 516.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC3D04065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8948 | $ 0.8948 |
| 10+ | $0.7486 | $ 7.4860 |
| 30+ | $0.6668 | $ 20.0040 |
| 100+ | $0.5759 | $ 57.5900 |
| 500+ | $0.5351 | $ 267.5500 |
| 1000+ | $0.5166 | $ 516.6000 |
