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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC3D04065A |
| Codice Parte EBEE | E822449552 |
| Confezione | TO-220-2L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.3V@4A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6850 | $ 0.6850 |
| 10+ | $0.5517 | $ 5.5170 |
| 50+ | $0.4850 | $ 24.2500 |
| 100+ | $0.4184 | $ 41.8400 |
| 500+ | $0.3790 | $ 189.5000 |
| 1000+ | $0.3579 | $ 357.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC3D04065A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6850 | $ 0.6850 |
| 10+ | $0.5517 | $ 5.5170 |
| 50+ | $0.4850 | $ 24.2500 |
| 100+ | $0.4184 | $ 41.8400 |
| 500+ | $0.3790 | $ 189.5000 |
| 1000+ | $0.3579 | $ 357.9000 |
