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HXY MOSFET GS1M
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GS1M |
| Codice Parte EBEE | E841419595 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 1A Independent Type 1kV 1.1V SMA Diodes - General Purpose ROHS |
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| 2000+ | $0.0065 | $ 13.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodes ,Diodes - General Purpose | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET GS1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1000V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | - | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guida all’acquisto
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