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HXY MOSFET 1N5819WS


Produttore
Codice Parte Mfr.
1N5819WS
Codice Parte EBEE
E85451629
Confezione
SOD-323
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-323 Schottky Diodes ROHS
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51000+$0.0045$ 229.5000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiodi di Dio ,I Diodi di Schottky
Scheda TecnicaHXY MOSFET 1N5819WS
RoHS
Corrente di perdita inversa (Ir)5uA@30V
Configurazione del DiodoIndependent
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)40V
Voltage - Forward(Vf@If)600mV@200mA
Current - Rectified350mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current2A
Operating Junction Temperature Range-40℃~+125℃

Guida all’acquisto

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