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HXY MOSFET 1N4001W
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 1N4001W |
| Codice Parte EBEE | E841419591 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 1A Independent Type 50V 1V SMA Diodes - General Purpose ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0086 | $ 0.4300 |
| 500+ | $0.0067 | $ 3.3500 |
| 2000+ | $0.0057 | $ 11.4000 |
| 4000+ | $0.0050 | $ 20.0000 |
| 24000+ | $0.0045 | $ 108.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodes ,Diodes - General Purpose | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET 1N4001W | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@50V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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