Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
HARRIS GES5816
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GES5816 |
| Codice Parte EBEE | E83201521 |
| Confezione | TO-92 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 500mW 100@2mA,2V 750mA NPN TO-92 Bipolar (BJT) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3039 | $ 0.3039 |
| 200+ | $0.1176 | $ 23.5200 |
| 500+ | $0.1135 | $ 56.7500 |
| 1000+ | $0.1114 | $ 111.4000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Scheda Tecnica | HARRIS GES5816 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+135℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 750mA | |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2mA,2V | |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 750mV@500mA,50mA | |
| Transistor type | NPN |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3039 | $ 0.3039 |
| 200+ | $0.1176 | $ 23.5200 |
| 500+ | $0.1135 | $ 56.7500 |
| 1000+ | $0.1114 | $ 111.4000 |
