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HARRIS 2N5871
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5871 |
| Codice Parte EBEE | E83201161 |
| Confezione | TO-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 115W 2.5@4A,20V 7A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $211.0475 | $ 211.0475 |
| 200+ | $81.6730 | $ 16334.6000 |
| 500+ | $78.8038 | $ 39401.9000 |
| 1000+ | $77.3842 | $ 77384.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | HARRIS 2N5871 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 7A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 115W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | - | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 60V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 2.5@4A,20V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 4MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | - | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $211.0475 | $ 211.0475 |
| 200+ | $81.6730 | $ 16334.6000 |
| 500+ | $78.8038 | $ 39401.9000 |
| 1000+ | $77.3842 | $ 77384.2000 |
