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HANSCHIP semiconductor HX25Q16DRG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HX25Q16DRG |
| Codice Parte EBEE | E822439610 |
| Confezione | SOP-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | SOP-8 NOR FLASH ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1808 | $ 0.9040 |
| 50+ | $0.1425 | $ 7.1250 |
| 150+ | $0.1261 | $ 18.9150 |
| 500+ | $0.1057 | $ 52.8500 |
| 2500+ | $0.0966 | $ 241.5000 |
| 5000+ | $0.0911 | $ 455.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | La memoria ,NOR FLASH | |
| Scheda Tecnica | HANSCHIP semiconductor HX25Q16DRG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interfaccia di interfaccia | SPI | |
| Tensione - Fornitura di | 2.3V~3.6V | |
| Frequenza dell'orologio | 104MHz | |
| Dimensione della memoria | 16Mbit | |
| Tempo di programmazione della pagina (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 3uA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 200ms@(64KB) |
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