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Hangzhou Silan Microelectronics SBD20C100F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SBD20C100F |
| Codice Parte EBEE | E839186 |
| Confezione | TO-220F-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 850mV@10A 10A TO-220F-3 Schottky Diodes ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,I Diodi di Schottky | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SBD20C100F | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 50uA@100V | |
| Configurazione del Diodo | 1 Pair Common Cathode | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@10A | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 150A |
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