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GigaDevice Semicon Beijing GD25Q80EEIGR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GD25Q80EEIGR |
| Codice Parte EBEE | E82874937 |
| Confezione | USON-8-EP(2x3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 8Mbit SPI 133MHz USON-8-EP(2x3) NOR FLASH ROHS |
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| 1+ | $0.5729 | $ 0.5729 |
| 10+ | $0.4637 | $ 4.6370 |
| 30+ | $0.4083 | $ 12.2490 |
| 100+ | $0.3545 | $ 35.4500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Memory ,NOR FLASH | |
| Scheda Tecnica | GigaDevice Semicon Beijing GD25Q80EEIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 133MHz | |
| Memory Size | 8Mbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 11uA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | - |
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