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GigaDevice Semicon Beijing GD25Q256DYIGR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GD25Q256DYIGR |
| Codice Parte EBEE | E82758337 |
| Confezione | WSON-8-EP(6x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Descrizione | 256Mbit SPI 104MHz WSON-8-EP(6x8) NOR FLASH ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7291 | $ 5.7291 |
| 10+ | $5.1089 | $ 51.0890 |
| 30+ | $4.7988 | $ 143.9640 |
| 100+ | $4.4913 | $ 449.1300 |
| 500+ | $4.3072 | $ 2153.6000 |
| 1000+ | $4.2124 | $ 4212.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Memory ,NOR FLASH | |
| Scheda Tecnica | GigaDevice Semicon Beijing GD25Q256DYIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | - | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 104MHz | |
| Memory Size | 256Mbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 12uA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 220ms |
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