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GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MBR2X080A100 |
| Codice Parte EBEE | E86987258 |
| Confezione | SOT-227 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 2 independent 80A 840mV@80A SOT-227 Schottky Diodes ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $129.3221 | $ 129.3221 |
| 208+ | $51.6007 | $ 10732.9456 |
| 520+ | $49.8776 | $ 25936.3520 |
| 988+ | $49.0252 | $ 48436.8976 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Diodes ,Diode Arrays | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 1mA@100V | |
| Tensione inversa (Vr) | 100V | |
| Configurazione del Diodo | 2 independent | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 840mV@80A | |
| Corrente rettificata | 80A |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $129.3221 | $ 129.3221 |
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| 520+ | $49.8776 | $ 25936.3520 |
| 988+ | $49.0252 | $ 48436.8976 |
