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GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GD2X100MPS06N |
| Codice Parte EBEE | E83757963 |
| Confezione | SOT-227 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1.8V@100A 2 independent 108A SOT-227 SiC Diodes ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $58.9626 | $ 58.9626 |
| 200+ | $22.8177 | $ 4563.5400 |
| 500+ | $22.0158 | $ 11007.9000 |
| 1000+ | $21.6203 | $ 21620.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 5uA@650V | |
| Tensione inversa (Vr) | 650V | |
| Configurazione del Diodo | 2 independent | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 1.8V@100A | |
| Corrente rettificata (Io) | 108A |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $22.0158 | $ 11007.9000 |
| 1000+ | $21.6203 | $ 21620.3000 |
