| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GD10MPS12E |
| Codice Parte EBEE | E83758527 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV 1.8V@10A 29A TO-252-2 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6214 | $ 7.6214 |
| 200+ | $2.9501 | $ 590.0200 |
| 500+ | $2.8463 | $ 1423.1500 |
| 1000+ | $2.7952 | $ 2795.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 5uA@1200V | |
| Tensione inversa (Vr) | 1.2kV | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 1.8V@10A | |
| Corrente rettificata (Io) | 29A |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6214 | $ 7.6214 |
| 200+ | $2.9501 | $ 590.0200 |
| 500+ | $2.8463 | $ 1423.1500 |
| 1000+ | $2.7952 | $ 2795.2000 |
