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Diodes Incorporated ZXTD619MCTA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ZXTD619MCTA |
| Codice Parte EBEE | E8155261 |
| Confezione | DFN-8-EP(3x2) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 19.6W 200@1A,2V 4A NPN DFN-8-EP(3x2) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2320 | $ 0.2320 |
| 10+ | $0.2114 | $ 2.1140 |
| 30+ | $0.2011 | $ 6.0330 |
| 100+ | $0.1915 | $ 19.1500 |
| 500+ | $0.1851 | $ 92.5500 |
| 1000+ | $0.1818 | $ 181.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| Scheda Tecnica | DIODES ZXTD619MCTA | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 19.6W | |
| DC Current Gain | 200 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 7V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 145mV | |
| Transition frequency(fT) | 165MHz |
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