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Convert Semiconductor CTD02N4P8
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CTD02N4P8 |
| Codice Parte EBEE | E8783102 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | 20V 80A 87W 500mV@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0874 | $ 0.4370 |
| 50+ | $0.0856 | $ 4.2800 |
| 150+ | $0.0842 | $ 12.6300 |
| 500+ | $0.0829 | $ 41.4500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | ||
| Scheda Tecnica | Convert Semiconductor CTD02N4P8 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 80A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 87W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 500mV@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | - | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | - |
Guida all’acquisto
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| 50+ | $0.0856 | $ 4.2800 |
| 150+ | $0.0842 | $ 12.6300 |
| 500+ | $0.0829 | $ 41.4500 |
