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BORN US2G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | US2G |
| Codice Parte EBEE | E829781464 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0202 | $ 0.4040 |
| 200+ | $0.0158 | $ 3.1600 |
| 600+ | $0.0133 | $ 7.9800 |
| 2000+ | $0.0118 | $ 23.6000 |
| 10000+ | $0.0105 | $ 105.0000 |
| 20000+ | $0.0098 | $ 196.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,Recupero rapido / diodi ad alta efficienza | |
| Scheda Tecnica | BORN US2G | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 5uA | |
| Configurazione del Diodo | 1 Independent | |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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