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BORN US1G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | US1G |
| Codice Parte EBEE | E829781458 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0137 | $ 0.6850 |
| 500+ | $0.0107 | $ 5.3500 |
| 1500+ | $0.0090 | $ 13.5000 |
| 5000+ | $0.0080 | $ 40.0000 |
| 25000+ | $0.0071 | $ 177.5000 |
| 50000+ | $0.0067 | $ 335.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,Recupero rapido / diodi ad alta efficienza | |
| Scheda Tecnica | BORN US1G | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 10uA@400V | |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.4V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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