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A Power microelectronics AP2311AI
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP2311AI |
| Codice Parte EBEE | E83011410 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 12V 5.8A 1.6W 20mΩ@4.5V,5.2A 650mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0371 | $ 0.0371 |
| 10+ | $0.0362 | $ 0.3620 |
| 30+ | $0.0356 | $ 1.0680 |
| 100+ | $0.0351 | $ 3.5100 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | A Power microelectronics AP2311AI | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 35mΩ@2.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 300pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $0.0371 | $ 0.0371 |
| 10+ | $0.0362 | $ 0.3620 |
| 30+ | $0.0356 | $ 1.0680 |
| 100+ | $0.0351 | $ 3.5100 |
