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A Power microelectronics AP120N08T
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP120N08T |
| Codice Parte EBEE | E83011350 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 85V 120A 4.5mΩ@10V,50A 220W 3V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7280 | $ 0.7280 |
| 10+ | $0.5741 | $ 5.7410 |
| 30+ | $0.5089 | $ 15.2670 |
| 100+ | $0.4255 | $ 42.5500 |
| 500+ | $0.3894 | $ 194.7000 |
| 1000+ | $0.3677 | $ 367.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | A Power microelectronics AP120N08T | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 85V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 120A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,50A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 220W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 35pF@40V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.032nF@40V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 65.7nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $0.7280 | $ 0.7280 |
| 10+ | $0.5741 | $ 5.7410 |
| 30+ | $0.5089 | $ 15.2670 |
| 100+ | $0.4255 | $ 42.5500 |
| 500+ | $0.3894 | $ 194.7000 |
| 1000+ | $0.3677 | $ 367.7000 |
