| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBT3906LP |
| Référence EBEE | E819089401 |
| Boîtier | DFN1006-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA PNP DFN1006-3L Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0204 | $ 1.0200 |
| 500+ | $0.0162 | $ 8.1000 |
| 1500+ | $0.0139 | $ 20.8500 |
| 10000+ | $0.0127 | $ 127.0000 |
| 20000+ | $0.0114 | $ 228.0000 |
| 50000+ | $0.0108 | $ 540.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | YONGYUTAI MMBT3906LP | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type de transistor | PNP | |
| Courant du collecteur (Ic) | 200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 300@10mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 300MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 300mV@50mA,5mA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0204 | $ 1.0200 |
| 500+ | $0.0162 | $ 8.1000 |
| 1500+ | $0.0139 | $ 20.8500 |
| 10000+ | $0.0127 | $ 127.0000 |
| 20000+ | $0.0114 | $ 228.0000 |
| 50000+ | $0.0108 | $ 540.0000 |
