| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DG3020A1-H-BD |
| Référence EBEE | E8162360 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 450V 800mW 1.5A NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0477 | $ 4.7700 |
| 300+ | $0.0423 | $ 12.6900 |
| 2000+ | $0.0383 | $ 76.6000 |
| 4000+ | $0.0352 | $ 140.8000 |
| 10000+ | $0.0336 | $ 336.0000 |
| 20000+ | $0.0331 | $ 662.0000 |
| 40000+ | $0.0329 | $ 1316.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DG3020A1-H-BD | |
| RoHS | ||
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 450V | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0477 | $ 4.7700 |
| 300+ | $0.0423 | $ 12.6900 |
| 2000+ | $0.0383 | $ 76.6000 |
| 4000+ | $0.0352 | $ 140.8000 |
| 10000+ | $0.0336 | $ 336.0000 |
| 20000+ | $0.0331 | $ 662.0000 |
| 40000+ | $0.0329 | $ 1316.0000 |
