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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13009AN
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13009AN |
| Référence EBEE | E8162359 |
| Boîtier | TO-3PN |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 120W 12A NPN TO-3PN Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8994 | $ 0.8994 |
| 10+ | $0.7510 | $ 7.5100 |
| 25+ | $0.6334 | $ 15.8350 |
| 100+ | $0.5591 | $ 55.9100 |
| 500+ | $0.5158 | $ 257.9000 |
| 1000+ | $0.4922 | $ 492.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13009AN | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 120W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Fréquence de transition (fT) | 4MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 450mV@8A,1.6A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8994 | $ 0.8994 |
| 10+ | $0.7510 | $ 7.5100 |
| 25+ | $0.6334 | $ 15.8350 |
| 100+ | $0.5591 | $ 55.9100 |
| 500+ | $0.5158 | $ 257.9000 |
| 1000+ | $0.4922 | $ 492.2000 |
