| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13005GRD |
| Référence EBEE | E82833628 |
| Boîtier | TO-262-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 50W 15@1A,5V 4A NPN TO-262-3 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3943 | $ 0.3943 |
| 10+ | $0.3200 | $ 3.2000 |
| 30+ | $0.2882 | $ 8.6460 |
| 100+ | $0.2484 | $ 24.8400 |
| 500+ | $0.2307 | $ 115.3500 |
| 1000+ | $0.2201 | $ 220.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13005GRD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 50W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 5MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 250mV@2A,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3943 | $ 0.3943 |
| 10+ | $0.3200 | $ 3.2000 |
| 30+ | $0.2882 | $ 8.6460 |
| 100+ | $0.2484 | $ 24.8400 |
| 500+ | $0.2307 | $ 115.3500 |
| 1000+ | $0.2201 | $ 220.1000 |
