| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13005C7D |
| Référence EBEE | E8162356 |
| Boîtier | TO-126 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 50W 15@1A,5V 4A NPN+PNP TO-126 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1880 | $ 0.1880 |
| 10+ | $0.1516 | $ 1.5160 |
| 30+ | $0.1359 | $ 4.0770 |
| 100+ | $0.1165 | $ 11.6500 |
| 400+ | $0.1078 | $ 43.1200 |
| 800+ | $0.1026 | $ 82.0800 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13005C7D | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 50W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 5MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 300mV@2A,500mA | |
| Type de transistor | NPN+PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1880 | $ 0.1880 |
| 10+ | $0.1516 | $ 1.5160 |
| 30+ | $0.1359 | $ 4.0770 |
| 100+ | $0.1165 | $ 11.6500 |
| 400+ | $0.1078 | $ 43.1200 |
| 800+ | $0.1026 | $ 82.0800 |
