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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13003F6 |
| Référence EBEE | E8162353 |
| Boîtier | TO-126 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 50W 1.5A NPN TO-126 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0994 | $ 0.4970 |
| 50+ | $0.0805 | $ 4.0250 |
| 150+ | $0.0711 | $ 10.6650 |
| 400+ | $0.0641 | $ 25.6400 |
| 2400+ | $0.0584 | $ 140.1600 |
| 4800+ | $0.0555 | $ 266.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 50W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Fréquence de transition (fT) | 5MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 300mV@1A,250mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0994 | $ 0.4970 |
| 50+ | $0.0805 | $ 4.0250 |
| 150+ | $0.0711 | $ 10.6650 |
| 400+ | $0.0641 | $ 25.6400 |
| 2400+ | $0.0584 | $ 140.1600 |
| 4800+ | $0.0555 | $ 266.4000 |
