| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13003F1D |
| Référence EBEE | E8162352 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.5A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0495 | $ 0.0495 |
| 10+ | $0.0430 | $ 0.4300 |
| 30+ | $0.0397 | $ 1.1910 |
| 100+ | $0.0373 | $ 3.7300 |
| 500+ | $0.0353 | $ 17.6500 |
| 1000+ | $0.0344 | $ 34.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F1D | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@200mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 5MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 300mV@500mA,100mA | |
| Type de transistor | NPN+PNP |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0495 | $ 0.0495 |
| 10+ | $0.0430 | $ 0.4300 |
| 30+ | $0.0397 | $ 1.1910 |
| 100+ | $0.0373 | $ 3.7300 |
| 500+ | $0.0353 | $ 17.6500 |
| 1000+ | $0.0344 | $ 34.4000 |
