| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13003E1D |
| Référence EBEE | E8162349 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0846 | $ 0.4230 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0608 | $ 9.1200 |
| 1000+ | $0.0549 | $ 54.9000 |
| 2000+ | $0.0501 | $ 100.2000 |
| 5000+ | $0.0477 | $ 238.5000 |
| 10000+ | $0.0472 | $ 472.0000 |
| 20000+ | $0.0467 | $ 934.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@200mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 5MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@500mA,100mA | |
| Type de transistor | NPN+PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0846 | $ 0.4230 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0608 | $ 9.1200 |
| 1000+ | $0.0549 | $ 54.9000 |
| 2000+ | $0.0501 | $ 100.2000 |
| 5000+ | $0.0477 | $ 238.5000 |
| 10000+ | $0.0472 | $ 472.0000 |
| 20000+ | $0.0467 | $ 934.0000 |
