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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3DD13003E1D-BD |
| Référence EBEE | E8176705 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@200mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 5MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@500mA,100mA | |
| Type de transistor | NPN+PNP |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
