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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WSB5558N-2/TR |
| Référence EBEE | E8240198 |
| Boîtier | DFN1006-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
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|---|---|---|
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| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 1000+ | $0.0287 | $ 28.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 30uA@30V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 450mV@100mA | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A |
Guide d’achat
Développer
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| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 1000+ | $0.0287 | $ 28.7000 |
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