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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5546N-2/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WSB5546N-2/TR |
| Référence EBEE | E8240197 |
| Boîtier | DFN1006-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 600mV@200mA 200mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 20+ | $0.0350 | $ 0.7000 |
| 200+ | $0.0274 | $ 5.4800 |
| 600+ | $0.0232 | $ 13.9200 |
| 2000+ | $0.0206 | $ 41.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5546N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 1uA@40V | |
| Configuration à diode | 1 Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3A |
Guide d’achat
Développer
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| 600+ | $0.0232 | $ 13.9200 |
| 2000+ | $0.0206 | $ 41.2000 |
| 10000+ | $0.0184 | $ 184.0000 |
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