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WeEn Semiconductors WNSC08650T6J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WNSC08650T6J |
| Référence EBEE | E8602743 |
| Boîtier | DFN-5(8x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V Independent Type 1.5V@8A 8A DFN-5(8x8) SiC Diodes ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 10+ | $4.7835 | $ 47.8350 |
| 30+ | $4.3239 | $ 129.7170 |
| 100+ | $3.8612 | $ 386.1200 |
| 500+ | $3.6476 | $ 1823.8000 |
| 1000+ | $3.5507 | $ 3550.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | WeEn Semiconductors WNSC08650T6J | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 50uA@650V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@8A | |
| Current - Rectified | 8A |
Guide d’achat
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