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WeEn Semiconductors MURS360BJ
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURS360BJ |
| Référence EBEE | E8602640 |
| Boîtier | SMB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.3V@3A 50ns Independent Type 3A 600V SMB Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1978 | $ 0.9890 |
| 50+ | $0.1521 | $ 7.6050 |
| 150+ | $0.1326 | $ 19.8900 |
| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 3000+ | $0.0972 | $ 291.6000 |
| 6000+ | $0.0907 | $ 544.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | WeEn Semiconductors MURS360BJ | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 3uA@600V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@3A | |
| Current - Rectified | 3A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 110A | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.1521 | $ 7.6050 |
| 150+ | $0.1326 | $ 19.8900 |
| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 3000+ | $0.0972 | $ 291.6000 |
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