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WeEn Semiconductors BUJ100LR,412
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BUJ100LR,412 |
| Référence EBEE | E8256384 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 400V 2.1W 10@400mA,5V 1A NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2109 | $ 0.2109 |
| 10+ | $0.2068 | $ 2.0680 |
| 30+ | $0.2040 | $ 6.1200 |
| 100+ | $0.2013 | $ 20.1300 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | WeEn Semiconductors BUJ100LR,412 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 10@400mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@750mA,250mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2109 | $ 0.2109 |
| 10+ | $0.2068 | $ 2.0680 |
| 30+ | $0.2040 | $ 6.1200 |
| 100+ | $0.2013 | $ 20.1300 |
