| Fabricant | |
| Référence Fabricant | VS-3EGU06-M3/5BT |
| Référence EBEE | E8506615 |
| Boîtier | DO-214AA(SMB) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.15V@3A 38ns Independent Type 3A 600V DO-214AA(SMB) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1956 | $ 0.9780 |
| 50+ | $0.1569 | $ 7.8450 |
| 150+ | $0.1404 | $ 21.0600 |
| 500+ | $0.1197 | $ 59.8500 |
| 3200+ | $0.1105 | $ 353.6000 |
| 6400+ | $0.1050 | $ 672.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech VS-3EGU06-M3/5BT | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 3uA@600V | |
| Configuration à diode | 1 Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 38ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.15V@3A | |
| Current - Rectified | 3A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 55A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1956 | $ 0.9780 |
| 50+ | $0.1569 | $ 7.8450 |
| 150+ | $0.1404 | $ 21.0600 |
| 500+ | $0.1197 | $ 59.8500 |
| 3200+ | $0.1105 | $ 353.6000 |
| 6400+ | $0.1050 | $ 672.0000 |
