| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US1G-E3/5AT |
| Référence EBEE | E8511415 |
| Boîtier | SMA(DO-214AC) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1V@1A 50ns 1A 400V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1851 | $ 0.9255 |
| 50+ | $0.1453 | $ 7.2650 |
| 150+ | $0.1282 | $ 19.2300 |
| 500+ | $0.1069 | $ 53.4500 |
| 2500+ | $0.0975 | $ 243.7500 |
| 7500+ | $0.0918 | $ 688.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech US1G-E3/5AT | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 10uA@400V | |
| Configuration à diode | 1 Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1851 | $ 0.9255 |
| 50+ | $0.1453 | $ 7.2650 |
| 150+ | $0.1282 | $ 19.2300 |
| 500+ | $0.1069 | $ 53.4500 |
| 2500+ | $0.0975 | $ 243.7500 |
| 7500+ | $0.0918 | $ 688.5000 |
