| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ES1B-E3/61T |
| Référence EBEE | E836988 |
| Boîtier | SMA(DO-214AC) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 920mV@1A 25ns 1A 100V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0727 | $ 0.7270 |
| 100+ | $0.0586 | $ 5.8600 |
| 300+ | $0.0515 | $ 15.4500 |
| 1800+ | $0.0417 | $ 75.0600 |
| 5400+ | $0.0374 | $ 201.9600 |
| 10800+ | $0.0353 | $ 381.2400 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech ES1B-E3/61T | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@100V | |
| Configuration à diode | - | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 25ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 920mV@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0727 | $ 0.7270 |
| 100+ | $0.0586 | $ 5.8600 |
| 300+ | $0.0515 | $ 15.4500 |
| 1800+ | $0.0417 | $ 75.0600 |
| 5400+ | $0.0374 | $ 201.9600 |
| 10800+ | $0.0353 | $ 381.2400 |
