| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BPW17N |
| Référence EBEE | E85334350 |
| Boîtier | Through Hole,P=2.54mm |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1mA 32V 100mW 200nA 825nm Plugin,P=2.54mm Phototransistors ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5703 | $ 0.5703 |
| 10+ | $0.5564 | $ 5.5640 |
| 30+ | $0.5486 | $ 16.4580 |
| 100+ | $0.5394 | $ 53.9400 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Optoélectronique ,Phototransistors | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech BPW17N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+100℃ | |
| Longueur d'onde de cêle | 825nm | |
| Angle de visualisation | - | |
| Courant noir | 200nA | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 32V | |
| Current - Collector(Ic) | 1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5703 | $ 0.5703 |
| 10+ | $0.5564 | $ 5.5640 |
| 30+ | $0.5486 | $ 16.4580 |
| 100+ | $0.5394 | $ 53.9400 |
