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VBsemi Elec IRLR110PBF-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRLR110PBF-VB |
| Référence EBEE | E819632133 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 15A 114mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.4970 | $ 0.4970 |
| 10+ | $0.3906 | $ 3.9060 |
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| 100+ | $0.2874 | $ 28.7400 |
| 500+ | $0.2620 | $ 131.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec IRLR110PBF-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 140mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 60pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 950pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V |
Guide d’achat
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| 100+ | $0.2874 | $ 28.7400 |
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