Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
STMicroelectronics STU10N60M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STU10N60M2 |
| Référence EBEE | E85931944 |
| Boîtier | TO-251(IPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 7.5A 85W 600mΩ@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0272 | $ 4.0272 |
| 225+ | $1.6068 | $ 361.5300 |
| 525+ | $1.5545 | $ 816.1125 |
| 975+ | $1.5266 | $ 1488.4350 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | ||
| Fiche Technique | ST STU10N60M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 600mΩ@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 400pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 13.5nC@10V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0272 | $ 4.0272 |
| 225+ | $1.6068 | $ 361.5300 |
| 525+ | $1.5545 | $ 816.1125 |
| 975+ | $1.5266 | $ 1488.4350 |
