| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STT818B |
| Référence EBEE | E836773 |
| Boîtier | SOT-23-6L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 1.2W 100@500mA,1V 3A PNP SOT-23-6L Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5503 | $ 0.5503 |
| 10+ | $0.4491 | $ 4.4910 |
| 30+ | $0.4048 | $ 12.1440 |
| 100+ | $0.3497 | $ 34.9700 |
| 500+ | $0.3266 | $ 163.3000 |
| 1000+ | $0.3107 | $ 310.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST STT818B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 30V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@500mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 210mV@2A,20mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5503 | $ 0.5503 |
| 10+ | $0.4491 | $ 4.4910 |
| 30+ | $0.4048 | $ 12.1440 |
| 100+ | $0.3497 | $ 34.9700 |
| 500+ | $0.3266 | $ 163.3000 |
| 1000+ | $0.3107 | $ 310.7000 |
