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STMicroelectronics STP18N65M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP18N65M2 |
| Référence EBEE | E8222137 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 12A 0.33Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | ||
| Fiche Technique | ST STP18N65M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 12A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.33Ω@10V,6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 770pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
