Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
STMicroelectronics PD57060S-E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PD57060S-E |
| Référence EBEE | E82970400 |
| Boîtier | PowerSO-10 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 65V 7A 2V@100mA 1 N-channel PowerSO-10 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,RF FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST PD57060S-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 65V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@100mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
