| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PD55003TR-E |
| Référence EBEE | E85269717 |
| Boîtier | PowerSO-10RF |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 2.5A 0.75Ω@10V,1A 31.7W 2V@50mA PowerSO-10RF MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.9283 | $ 16.9283 |
| 200+ | $6.5512 | $ 1310.2400 |
| 600+ | $6.3212 | $ 3792.7200 |
| 1200+ | $6.2080 | $ 7449.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,RF FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST PD55003TR-E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+165℃ | |
| Configuration | Common Source | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.75Ω@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 31.7W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@50mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | [email protected] |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.9283 | $ 16.9283 |
| 200+ | $6.5512 | $ 1310.2400 |
| 600+ | $6.3212 | $ 3792.7200 |
| 1200+ | $6.2080 | $ 7449.6000 |
