| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BD237 |
| Référence EBEE | E82842351 |
| Boîtier | SOT-32-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 25W 25@1A,2V 2A NPN SOT-32-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6560 | $ 0.6560 |
| 10+ | $0.5446 | $ 5.4460 |
| 50+ | $0.4881 | $ 24.4050 |
| 100+ | $0.4332 | $ 43.3200 |
| 500+ | $0.3996 | $ 199.8000 |
| 1000+ | $0.3819 | $ 381.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST BD237 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 25@1A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 0.6V@1A,0.1A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6560 | $ 0.6560 |
| 10+ | $0.5446 | $ 5.4460 |
| 50+ | $0.4881 | $ 24.4050 |
| 100+ | $0.4332 | $ 43.3200 |
| 500+ | $0.3996 | $ 199.8000 |
| 1000+ | $0.3819 | $ 381.9000 |
