| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2STR1215 |
| Référence EBEE | E82935151 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 15V 500mW 200@500mA,2V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0537 | $ 1.0537 |
| 10+ | $0.8756 | $ 8.7560 |
| 30+ | $0.7875 | $ 23.6250 |
| 100+ | $0.7013 | $ 70.1300 |
| 500+ | $0.6480 | $ 324.0000 |
| 1000+ | $0.6205 | $ 620.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST 2STR1215 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 15V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@500mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@2A,200mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0537 | $ 1.0537 |
| 10+ | $0.8756 | $ 8.7560 |
| 30+ | $0.7875 | $ 23.6250 |
| 100+ | $0.7013 | $ 70.1300 |
| 500+ | $0.6480 | $ 324.0000 |
| 1000+ | $0.6205 | $ 620.5000 |
