| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SD1047 |
| Référence EBEE | E82688707 |
| Boîtier | TO-3P-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 140V 100W 60@1A,5V 12A NPN TO-3P-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4996 | $ 2.4996 |
| 10+ | $2.2486 | $ 22.4860 |
| 30+ | $2.0897 | $ 62.6910 |
| 100+ | $1.9289 | $ 192.8900 |
| 500+ | $1.8567 | $ 928.3500 |
| 1000+ | $1.8241 | $ 1824.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | ST 2SD1047 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 100W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 140V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 60@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 20MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@5A,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4996 | $ 2.4996 |
| 10+ | $2.2486 | $ 22.4860 |
| 30+ | $2.0897 | $ 62.6910 |
| 100+ | $1.9289 | $ 192.8900 |
| 500+ | $1.8567 | $ 928.3500 |
| 1000+ | $1.8241 | $ 1824.1000 |
